富士通新磁盤技術可達300GB/英寸[圖]

　　日本富士通公司研究所宣布，他們已經實現了每平方英寸100Gbits磁記錄技術，在使用這種技術以後，就能夠在2.5英寸的硬盤驅動器上實現大約110GB的容量，按照富士通公司的計劃，該技術會在今年下半年正式采用。

　　新技術有以下三個特點：

　　1、采用去年4月發表的記錄媒介——結合加固層技術的SF多重膜介質，耐熱能力比該公司以前的介質高3倍，確保了100Gbit/英寸數據記錄密度的可靠性。

　　2、采用了新的高靈敏度雙氧化層GMR讀寫磁頭。

　　3、新一代的盤片加工工藝提高了30%的數據記錄能力。

　　根據富士通的計劃，這個技術未來會發展到300GB/英寸的記錄密度，看來1T的硬盤也不是什麼大不了的事情了。