三星發布頻率高達1GHz的RDRAM[圖]

　　三星電子表示，該公司采0.12微米制程技術、4 bank結構，成功開發576M Rambus DRAM（RDRAM），不但尺寸小，成本上更具競爭力；另外，為配合英特爾（Intel）新推芯片組時點，預計2002年第二季纔開始量產。

三星表示，576M RDRAM的頻率速度達1,066MHz，比PC133 SDRAM快8倍、比DDR266產品快4倍，適用於需高速處理大量數據的動態影像與繪圖，主要應用於高性能計算機、工作站、大型服務器、游戲機及視訊轉換器（STB）等。

　　該公司表示，以128M及256M RDRAM計，采用0.12微米制程可使每片晶圓切割出的晶粒數，比目前0.15微米制程增加47％，生產力大為提昇。