內存點滴談(中)

　　在133MHz下，DDR內存帶寬可以達到2.1GB/s，200MHz外頻標准出臺後，其帶寬更是達到了3.2GB/s的海量（如圖2所示）。目前DDR400內存已經問世，其強大的攻勢不容忽視，發展前景非常廣闊。

目前市場上已經有了針對DDR應用的處理器及配套主板，但是由於還是初級發展階段，對於DDR內存的海量傳輸能力利用率不高，沒能在實際應用中體現出來。所以，這種內存技術的成熟應用期還沒有到，目前只處於初級應用階段。

DDR只是對SDRAM技術做了一些加強，所以生產SDRAM的生產線極容易改建於DDR的生產。不過DDR內存為保持較高的數據傳輸率，電氣信號必須要求能較快改變，因此采用了2.5伏的SSTL2標准，其管腳數為184線，與SDRAM在主板上無法實現兼容。

DDR SDRAM有著先天性的優勢，因此，取代SDRAM只是時間上的問題，相信隨著DDR內存體系的愈加成熟，與SDRAM體系結構間的性能會越拉越大，那時也正是DDR全面鋪進千家萬戶的時刻。

RDRAM

RDRAM原本是Intel強力推廣的未來內存發展方向，其技術引入了RISC（精簡指令集），依靠高時鍾頻率（目前有300MHz、350MHz和400MHz三種規格）來簡化每個時鍾周期的數據量。因此其數據通道接口只有16bit（由兩條8bit的數據通道組成），遠低於SDRAM的64bit，由於RDRAM也是采用類似於DDR的雙速率傳輸結構，同時利用時鍾脈衝的上昇與下降沿進行數據傳輸，因此在300MHz下的數據傳輸量可以達到300MHz×16bit×2/8=1.2GB/s，400MHz時可達到1.6GB/s，目前主流的雙通道PC800MHz RDRAM的數據傳輸量更是達到了3.2GB/s。相對於133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，確實很有吸引力。

由於這種內存是全新的結構體系，需要興建專用的內存生產線纔能進行大批量生產，基本上無法對原有的生產線進行改建，這樣初期產品的成本肯定是難以與DDR進行競爭，而且生產這種內存還必須按產量向Rambus公司交納一定的權利金，讓各廠商纏足不前，在一定程度阻礙了RDRAM的發展，不過更高帶寬的雙通道RDRAM不久將會出現。Rambus公司已經推出世界上第一條運行在1200MHz頻率上的RDRAM，內存的峰值帶寬將達到4.8GHz/s。除此之外，Rambus還將推出一款運行在1066MHz下的RDRAM（如圖3所示），它們的設計和制造工藝和從前的Rambus內存區別不是很大。

RDRAM的認證機制也較為嚴格，其認證測試包括DirectRDRAM元件、RIMM模塊、RIMM連接器和DirectRDRAM時鍾發生器。以確保與Intel的系統保持百分百的兼容。