內存點滴談(下)

　　QBM、QDR……

對於以上三種內存我們應該如何選購呢？大家都說SDRAM已經被淘汰，其實對於一般用戶而言仍可以算是物美價廉的選擇；對於游戲愛好者來說，DDR SDRAM不乏是個明智之選；RDRAM則是那些服務器和工作站的黃金搭檔。

目前各種新型的內存架構已相繼出臺，QBM（Quad Band Memory，四倍帶寬內存）便是其中的一種，Kentron公司將在明年第一季發布帶寬達到3.2GB/s（工作頻率400MHz）及4.26GB/s（工作頻率533MHz）的QBM架構內存（如圖4所示），對應同頻率的Pentium 4處理器；帶寬達到5.4GB/s（工作頻率為667MHz）的QBM內存將於2003年投入量產，而6.4GB/s（工作頻率為800MHz）的QBM內存初步定在2004年發布，它比同期發布的DDRII規范（4.3GB/s）要快2.1GB/s左右，當然這只是理論帶寬的比較。

與QBM類似的還有一種叫做QDR（如圖5所示）內存規格，也是四倍速的意思（QDR=Quad Data Rate)。QDR SRAM的原理是將以往同時負責讀取和寫入作用的數據帶寬拆解為兩組，一組負責讀取，而另一組則寫入，這樣避免了單一的寫入和讀出時切換步驟而浪費時間，避免空閑周期情況出現。最重要的是這兩組線路都使用了DDR的技術，就是脈衝信號的上昇沿和下降沿都可以處理數據資料，這樣全速運行正好比傳統的SDRAM快上四倍。

而Intel方面正在加緊開發一種采用聚酯材料的塑料內存產品。采用的是3D存儲技術，數據將被存儲在成千上萬的聚酯層內，可存儲的容量相當大。價格也只有現在采用硅材料生產的同等性質內存的『十分之一』，如果Intel真的要推出塑料內存的話，那麼對於那些采用硅材料生產內存的廠家來講，無疑是個滅頂之災了。

亂花漸入迷人眼，內存發展也將邁入多元化，一個嶄新的舞臺即將誕生。

小知識

CL反應時間是衡定內存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內存存取數據所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令後的反應速度。一般的參數值是2和3兩種。數字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的PC133內存標准中，這個數值規定為3，而在Intel重新制訂的新規范中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對於內存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優秀的品質。因此在選購品牌內存時，這是一個不可不察的因素。