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三星內存再創高峰 DDR單條容量高達8GB[圖]
http://www.enorth.com.cn　 2004-06-28 14:16

　　日前，三星電子正式發布容量達到8GB的DDR內存，它使用了.10微米的1Gbit顆粒。該內存主要為高性能工作站、服務器以及其他專用系統設計。

　　這款8GB DDR內存可以使用dual-stacked 1Gbit DDR SDRAM TSOP封裝，或者使用quad-stack 1Gbit DDR SDRAM FBGA封裝，因此該內存PCB上可能使用到36個TSOP或者18個FBGA封裝顆粒。

　　目前三星已經開始向服務器商提供這款8GB DDR內存的樣品。

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編輯：趙海濤
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