榨乾系統性能 內存參數優化寶典[圖]

　　去年炒得沸沸揚揚的PAT技術實際上就是種內存加速技術，Intel通過在北橋芯片中設置『Bypass Patch』(旁路)讓處理器對內存的數據訪問請求少一個時鍾周期，另外又通過構建『Optimized Patch"(優化路徑)讓內存控制器對內存芯片的顆粒和BamK選擇時間上減少一個周期。這樣一來二去，CPU在內存數據讀取上減少了兩個時鍾周期，就達到了提高PC性能的目的。

　　PAT技術的實現對內存的品質有一定的要求，而許多主板廠商通過觸類旁通的自行設計，在I865平臺上同樣也實現了原本專屬I875P的PAT功能——只是更換了稱法而已。

　　不管怎麼說，優化內存的延遲參數對PC性能的提高有很大幫助是顯而易見的，所以，我們不妨對這方面的知識了解得更深入一些。

　　一、了解內存延遲參數

　　Intel平臺和AMD平臺的內存延遲參數其實都差不多，其中最常見的幾項為CAS(CL)、tRCD、tRP、tRAS，如圖1。這其中大多數是沿用JEDEC的內存標准而來，但tRAS這個參數卻頗有爭議，JEDEC的DDR內存相關標准中並沒有把它列為必須的性能參數，甚至有觀點認為這一參數純粹是某些主板廠商炒作出來的。

　　以上參數往往在主板的BIOS中可以調整，一般來說設置值都是越小越好，但對內存顆粒的品質也相對越來越高。由於不明就裡，許多用戶都不敢貿然進行調整；為釋疑解惑，下面我們就對各項參數逐一加以解釋。

　　1.CAS(CL)：

　　內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間。這個參數很重要，內存條上一般都有這個參數標記。在BIOS設置中DDR內存的CAS參數選項通常有『1.5』、『2』、『2.5』、『3』幾種選擇，SDRAM則只有『2』、『3』兩個選項。較低的CAS周期能減少內存的潛伏周期以提高內存的工作效率。因此只要能夠穩定運行操作系統，我們應當盡量把CAS參數調低。

　　2.tRCD(RAS To CAS Delay)：

　　內存行地址控制器到列地址控制器的延遲時間，參數選項有2和3這兩個選擇，同樣是越小越好。

　　3.tRP(RAS Precharge Time)：

　　內存行地址控制器預充電時間，參數選項有2和3這兩個選擇，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。

　　4.tRAS(RAS Active Time)：

　　內存行有效至預充電的最短周期，一般我們可選的參數選項有5，6或者7這3個，但是在一些nForce 2主板上的選擇范圍卻很大，最高可到15，最低達到1。調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5-11之間。