榨乾系統性能 內存參數優化寶典

　　二、了解內存交錯技術

　　內存交錯技術(Bank Interleave)也是用來提高內存性能的一種技術，它使內存各個面的刷新時鍾信號與讀寫時鍾信號能夠交錯出現，實現CPU在刷新一個內存面的同時對另一個內存面進行讀寫，這樣就不必花費專門的時間來對各個內存面進行刷新。在CPU即將訪問的一串內存地址分別位於不同內存面的情況下，內存面交錯使CPU能夠實現在向後一個內存面發送地址的同時從前一個內存面接收數據，從而產生一種流水線操作的效果，更大限度地發揮內存的理論帶寬。因此，有人甚至認為啟用內存交錯對於系統性能的提高比將內存CAS延遲時間從3改成2還要大。

　　實際Intel和VIA都支持內存交錯技術，主要模式有2路交錯(2-Bank )和4路交錯(4-Bank)兩種；不過出於對系統的穩定性考慮，很多支持該技術的主板在默認情況下都關閉了內存交錯技術，或最多開啟2路內存交錯模式——雖然4路交錯可以帶來更大的性能提昇。下表即為國外一位網友在EP-MVP3G2(VIA MVP3平臺)主板上使用K6-2 500MHz所作的測試結果對比：

　　通過昇級BIOS，VIA 694X以上芯片組都有機會開啟內存交錯設置項；即便BIOS不支持，也可以通過WPCREdit等專用軟件來修改北橋芯片的寄存器，從而打開內存交錯模式。直接支持內存交錯設置的主板以KT400/400A、P4X400居多。以威盛的P4PB 400主板為例，進入BIOS後在『Frequency/Voltage Control』中找到『Bank Interleave』一項，就有『Disable』、『2 Bank』、『4 Bank』等三種模式可選。

　　三、掌握內存異步調節

　　在內存同步工作模式下，內存的運行速度與CPU外頻相同。內存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令內存工作在高出或低於系統總線速度33MHz的情況下(也有采用3:4、4:5的倍頻模式的)。

　　有了這一招我們不僅可以讓『老』內存發揮餘熱，更重要的是可以充分挖掘內存的潛力及獲得更寬泛的超頻空間。Intel的810?875系列芯片組和威盛的693以後的產品，都支持內存異步。

　　以典型的VIA KT333主板為例，進入BIOS後找到『DRAM Clock(內存時鍾頻率)』選項，即有『Host Clock(總線頻率和內存工作頻率同步)、Hclk-33MHz(總線頻率減33MHz)、Hclk+33MHz(總線頻率+33MHz)』等三種模式可選。

　　四、用實例說話

　　上面介紹了那麼多有關於內存優化的知識，大家肯定最想看到的還是實際的例證。OK，筆者做了一個簡單的測試。測試平臺：Athlon XP1800+(未超頻)、Apacer DDR333 512MB、GeForce4 Ti4200、VIA KT333主板，測試游戲為經典的Quake3 Arena。測試結果如下：

　　從以上的測試數據對比可以看到，優化內存設置對FPS游戲幀速度的提高不無小補，平均幅度達到4%-5%。

　　五、觀點：

　　相較其他內存優化技術，內存異步調節的穩定性要好得多，建議大家多根據所用內存的規格充分應用之。當內存參數設定過高或超頻導致系統不穩定時，適當地增加內存電壓可以提高系統穩定性(需主板支持)，增加內存電壓幅度最好不要超過0.3V。