3D芯片封裝技術！三星宣布『WSP』工藝[圖]

http://www.enorth.com.cn　 2006-04-14 13:39

　　韓國三星公司剛剛宣布將更多內存封裝到小尺寸空間的新技術。這種技術稱之為三維空間芯片封裝，它通過在內存模塊上加入『通過矽』的連接，然後通過這種連接，將多個內存模塊菊花型連接起來。韓國三星公司將這種新技術命名為『晶圓級的堆疊工藝』，簡稱WSP 。

　　現有的半導體封裝依賴於對印刷電路板的有線連接，這種有線連接需要互連之間存在空間，以消除乾擾，但是在制造高密度內存之時，這種空間會成為制約因素。三星電子今天宣布的『通過矽』的互相連接技術，本質上是激光在內存芯片之間打孔，然後以導體材料填充這些孔，以產生垂直互連效果。

　　韓國三星公司研究員設法在一個封包當中堆積了8個2Gb NAND芯片。這種容量16Gb的NAND芯片高度只有半個毫米。這種技術將在年內用在DRAM和多媒體控制器的生產上。手機、PDA和高密度服務器組件都將因此受益。如果這種WSP技術允許1個封裝當中堆積256的模塊，那麼三星公司不久前發布的最新NAND硬盤厚度將只有8個毫米。

　　然而3D封裝對芯片裝配來說，並非最好辦法。在相對慢的NAND模塊上，發熱量對3D封裝來說不是大問題，但是工作溫度更高的高速DRAM來說，近期不大可能采用三星公司的這種WSP或者其它3D封裝技術。

編輯：趙國棟

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