07年進入DDR3時代 三星DDR3模組實物曝光[圖]

　　在臺北春季IDF大會上，Samsung記憶體事業首席記程師Dong Yang Lee表示，他們的DDR3記憶體模組已經准備可於06年下半年量產，初期速度為DDR3-800，及後將會推出DDR3-1067及DDR3-1333，預計最高速度將為DDR3-1666，並預計Intel將會於07年下半年把DDR3記憶體用於桌面平臺以上，而取代DDR2主流地位則預測為2009年Q1。現時DDR2記憶體主流是采用90奈米制程，但DDR3記憶體將會導入70奈米，因此DDR3的生產成本將進一步降低，同時工作電壓及功耗亦將下降，據Dong Yang Lee表示，DDR3 1066的功耗將會是DDR2 800的0.66x，而DDR1333則為0.79x，因此DDR3更有利用於行動平臺以上。

　　DDR3技術主要是基於DDR2上作出改良，由DDR2的4 Pre-fetch提昇至8 Pre-fetch，電壓降低至1.5v，QD、C/A、Driver Control及Leveling亦略有不同，新一代DDR3模組將擁有全新的偵測工作溫度功能，可讓用家透過BIOS讀取記憶體的溫度，而DDR3的顆粒亦會用於Server之中推出FB-DIMM 2模組。

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