容量達32Gb 三星NAND閃存進軍40nm工藝[圖]

　　三星今天宣布了全球首款采用40nm、high-k工藝生產的NAND閃存芯片，容量達32Gb。

　　三星表示，新的芯片可以用來制造64GB容量的SD卡或CF卡，足以存儲64小時的DVD分辨率電影(40部)或者1.6萬首MP3歌曲(1340小時)。

　　三星的這種芯片使用了一種名為『Charge Trap Flash(CTF)』的新架構技術。這種金屬單閘極架構不同於傳統的規雙閘極架構，可在20nm工藝下生產出256Gb容量的芯片，而後者最多只能在50nm工藝下實現16Gb。

　　NAND閃存目前廣泛應用於數碼相機、MP3播放器、USB記憶棒等，而且正隨著混合硬盤、固態磁盤、外置存儲設備等新概念進入PC領域。雖然容量上的弱勢限制了其大范圍普及，但三星表示，等到2010年左右，20nm工藝可將NAND閃存芯片的容量提昇至128GB乃至256GB。

　　至於與NAND閃存分庭抗禮的NOR閃存，三星認為新的PRAM(相變隨即存取內存)有望取而代之。三星稱，PRAM比NOR在速度上快30倍，生產步驟上少20%，讀寫循環次數(壽命)也是後者的10倍，更具備『無限的』擴展潛力。三星已經成功制造出了面積僅有0.0467平方微米的PRAM芯片原型，預計2008年推出首款相關產品，容量512Mb。

　　根據iSuppli的數據，三星在今年第二季度佔據了全球NAND閃存市場的46.2%。