三星完成業內首款50nm DDR2 DRAM內存芯片[圖]

　　三星剛剛宣布開發完成業內首款50nm DDR2 DRAM芯片。

　　三星表示，相對現有的60nm DRAM芯片，50nm工藝將提高55%生產效率。除此之外，新50nm 1Gbit DRAM芯片還采用了3D晶體管設計、多絕緣層隔離等先進半導體技術，大大加強了芯片的性能以及存儲能力。

　　三星表示，新50nm工藝將在筆記本內存、圖形顯存等領域大顯身手。首批50nm DRAM芯片將在2008年大規模生產，2011年佔領主流DRAM市場，屆時全球DRAM市場總值將達到550億美元。