第二代Z-RAM技術可將CPU緩存提至100M

    Z-RAM（零電容DRAM）是一種比普通D-Ram，甚至是高端CPU用來開發緩存的S-RAM還要密集許多的內存芯片。這種新內存背後的技術將使相同管芯下實現更大緩存。四核心Kentsfield（2×4MB緩存）這類CPU中使用的大容量緩存芯片佔據了芯片幾乎所有的空間，因此，這一創新可能將實現行業一大技術突破。

    當剛推出第一代Z-RAM時，Innovative Silicon稱，它的技術可以將使用SOI（硅絕緣體）技術和130nm工藝的標准S-RAMS密度提到至原先的5倍。第二代Z-RAM仍然依賴於SOI，但是廠商已經開始在90nm工藝下使用65nm和45nm生產線來生產Z-RAM。較之常規技術，當分配大容量內存空間時，第二代Z-RAM所耗電能明顯低很多。

    該公司同時還稱，真實的Z-RAM可以『在內存位單元存儲更多指令』，從而縮短CPU讀寫周期。據Innovative Silicon的消息，Z-RAM可以突破1GHz限制。該公司對外公布的信息顯示，當使用65nm工藝時，內存每平方毫米可以存儲5MB數據；當使用45nm制造工藝時，內存每平方毫米存儲容量將超過10MB。如果該技術能夠應用到真實CPU的晶片尺寸，它將很容易就可以把L2緩存值提昇到50-100MB。

    在早期的一份聲明中，Innovative Silicon總裁兼首席執行官Mark-Eric Jones聲稱：『我們的第二代Z-RAM技術確實是一項技術突破。當前，我們還沒有發現任何與之相仿的其他技術。Z-RAM已經成為世界上最密內存技術，通過Z-RAM第二代，CPU速度將提高兩倍以上，內存讀取功耗將降至原先的75%，而內存寫入功耗將降至90%。』