顛覆傳統 3.5英寸硬盤容量劇增至5TB

　　近日，富士通公司對外宣布，將開發一種新的存儲媒介技術，可以動態增加硬盤媒介的區域密度，從而便利了高容量硬盤的開發。

　　富士通能夠通過前所未有的25nm技術實現一個單面陣列納米孔。這一成就已經在本月9日的美國巴爾的摩舉行的磁技術國際會議『Joint MMM/Intermag Conference(MMM-Intermag 2007)』上進行了詳細發表。而這一成績的實現，是在Yamagata FUJITSU Limited、Fujitsu Laboratories Limited和Kanagawa Academy of Science and Technology (KAST)三家公司和機構的通力合作下完成的。

　　隨著這一最新晶格介質的發布，富士通已經成功以25nm工藝實現了納米孔，從而使未來在HDD上實現密度達1萬億比特(terabit)/平方英寸的記錄。而這一數值較之傳統硬盤的密度高出了足足5倍多。理論上，存儲密度達1萬億比特(terabit)/平方英寸可以使3.5英寸硬盤的容量達到5TB，2.5英寸筆記本硬盤達到1.5TB，而1.7英寸移動硬盤將達到500GB。目前在硬盤區域存儲密度領域的記錄保持者是希捷公司，它曾經實現了在每平方英寸面積存儲421Gb數據。

　　此外，在MMM/Intermag會議上，富士通還透露了其對隨機晶格介質的垂直記錄寫入/讀取操作的開發。