效率提高40%！三星率先量產60nm工藝DRAM內存

    就在大多數內存廠商還在為70nm工藝努力的時候，三星今天宣布已經開始在業界率先大規模量產60nm 1Gb DDR2 DRAM內存了。與2006年初引入的80nm相比，60nm可將生產效率提高40％，與90nm相比更是可以翻一番。

    這種新工藝芯片是三星在2005年開發出來的，如今終於得以投產。預計60nm將在2008年成為DRAM內存業界的主流技術。三星預計，60nm技術將在明後兩年分別帶來23億美元和320億美元的收入。

    三星基於60nm 1Gb DRAM芯片的內存模塊有512MB、1GB、2GB等容量，頻率667MHz或800MHz。三星希望新工藝的采用能在近期將1Gb DRAM推向主流地位，取代512Mb DRAM，滿足Windows Vista需求。

    從90nm工藝開始，三星引入了獨有的三維晶體管技術，『凹道排列晶體管』(RCAT)能在三個方向上構建DRAM單元，可以顯著縮小芯片體積、提高存儲密度。這一技術使得三星在工藝進程的革新速度上加快了一倍，有望一直持續到50nm甚至更遠。同時，三星還在70nm之後采用了『金屬絕緣層金屬』(MIM)技術，以增強數據存儲能力。

    另外，三星的50nm DRAM也已經在去年10月研發成功，量產時間未定。