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優於閃存 2Mbit FRAM芯片量產開始[圖]


http://www.enorth.com.cn  2007-04-20 08:20
  富士通近日宣布了2 Mbit Ferroelectric RAM (鐵電隨機存儲器,簡稱FRAM或FeRAM)內存芯片的問世,該公司表示這是目前世界上實現量產的最大容量FRAM。該產品的電氣特性和之前該公司的1 Mbit FRAM一樣,也采用相同的TSOP-48封裝,但容量提高到原來的兩倍。2 Mbit FRAM的樣品價為2000日元(16.91美元)

  FRAM是一種非易失性內存,利用一種鐵電薄膜來存儲數據,寫入速度比閃存更快,而功率則更低,寫入次數更多。

  富士通表示FRAM可以用於辦公設備存儲事件計數,或者存儲每個事件的不同參數及日志,而不必考慮寫入次數問題。FRAM允許100億次讀寫周期,相當於每秒寫入30次持續10年。另外,FRAM無需電池就可以將數據保存10年以上。

  FRAM另一個理想的應用是車輛導航系統、多功能打印機、測量儀器等等非易失性內存用於存儲各種參數、記錄設備操作環境或者安全信息的領域。
編輯:趙國棟
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