東芝開發新型3D堆疊NAND閃存

　　近日在一次超大規模集成電路座談會上，東芝公司公開了一種新的三維堆疊存儲芯片技術，並不需要制程的改進，就能夠在不大幅增加芯片面積的情況下提高存儲密度和數據容量。

　　過去的堆疊存儲技術，都是簡單的將傳統平面存儲芯片一層一層的疊放起來，並不斷重復這一過程。雖然這種方法可以提高芯片存儲密度，但是卻使制造過程更加復雜，耗時更長。

　　東芝憑借新的蝕刻技術，在晶圓上穿孔，制造出多層的門電極和絕緣層。，經過摻雜的硅柱填充這些孔洞後，門電極和絕緣層圍繞這些硅柱有間隔的閃存電路。

　　東芝的新技術改變了整個閃存芯片的設計結構，可以在不增加芯片體積的情況下大幅度提高存儲密度。根據東芝的說法，堆疊32層的情況下可以講存儲密度提高10倍。

　　目前，東芝還沒有透露這一技術的投產計劃。