Intel、AMD四核心芯片面積比較

　　Intel最近又陸續透露了45nm Penryn處理器的不少消息，這裡我們來看一下有關集成晶體管數量和核心芯片面積的問題，並與AMD的同類產品進行一下對比。

　　45nm Penryn Wolfdale原生雙核心采用45nm工藝制造，將集成接近4億個晶體管，二級緩存6MB，核心面積107平方毫米。由於Intel仍是繼續采用雙DIE拼接的方式制造四核心處理器，因此四核心版本的Penryn Yorkfield/Harpertown集成8.2億個晶體管，二級緩存12MB，核心面積107×2＝214平方毫米。

　　作為對比，目前的65nm Conroe Core 2 Duo雙核心集成2.91億個晶體管，二級緩存4MB，核心面積143平方毫米，Clovertown Xeon四核心則是6.81億個晶體管，二級緩存8MB，核心面積143×2＝286平方毫米。

　　Intel的第二代45nm處理器代號Gainstown，最多八個核心，不過還是雙DIE設計，並集成內存控制器、進一步加大緩存容量，因此核心面積有所增大，預計雙核心版本為191平方毫米。

　　AMD方面，K10 Barcelona Opteron采用65nm工藝，集成4.63億個晶體管，二級緩存4MB。由於是原生四核心設計，而且晶體管數量較少，Barcelona的核心面積更小一些，只有283平方毫米。