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就要鑽牛角尖 高手教你優化內存設置


http://www.enorth.com.cn  2007-09-04 16:11
  內存作為電腦的三大核心配件之一其重要性不言而喻,很多用戶也將改善內存性能作為提高配置整體性能一個重要手段。提到改善內存性能,大家首先想到的可能是增加內存容量、對內存進行超頻,部分硬件玩家還會想到通過優化內存參數改善內存性能。不過目前大部分用戶對於內存參數的定義和實際影響並不太了解,針對這一問題,筆者在本文中講重點為大家介紹內存參數的含義,同時通過實際測試讓大家了解內存參數對內存性能的影響,以及優化參數設置時的一些注意事項和技巧。

  目前主流主板BIOS中常見的內存參數設置選項主要有以下幾種:CAS Latency Control(tCL)、RAS to CAS Delay(tRCD)、Row Precharge Timing (tRP)、Min RAS Active Timing(tRAS),部分主板還提供了Command Per Clock(CMD)選項。除了上述常見參數設置外,大部分主板的BIOS中還提供了內存高級參數設置,這些參數包括:Row to Row Delay(或RAS to RAS delay,tRRD)、Row Cycle Time(tRC)、Write Recovery Time(tWR)、Write to Read Delay(tWTR)、Refresh Period(tREF)等(如下圖所示)。需要提醒大家的是,不同主板廠商、不同品牌的BIOS在參數名稱上可能存在一定差異,但是對應的縮寫基本都是統一的。所以大家不用可以去記下參數的詳細名稱,只要記住對應的縮寫就可以了。

你了解內存參數嗎?

  究竟這些參數的改變對內存的幫助有多大,而在超頻的時候,究竟采用哪個參數呢?相信就是高手也不能立刻回答這些問題。為了讓喜歡玩內存的朋友更加深入了解這些參數設置,我們就用評測數據來解開內存設置之謎。如果你自認是高手,那麼以下的文章內容,你能不看嗎?

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編輯:趙國棟
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