三星60nm 2G DDR2內存研發成功 年底量產

　　三星電子今天宣布，他們已經成功研發出了60nm的DDR2內存芯片，容量達到2G，預計年底就可投入量產。

　　2G單條內存將大大提昇存儲方案的性能，降低功耗，組成4-Rank 8GB內存模組的話，1Gb芯片需要72顆，2Gb就只要36顆，功耗可以降低30%，降低散熱需求，提高穩定性。

　　三星表示，與80nm的2G DDR2相比，在800MHz頻率下60nm的性能提昇20%，而功耗降低40%！

　　三星在今年年底轉向60nm，意味著更低的成本，也就是說近期內存價格大降是很有驅動力的了。