Intel 4核、4GHz、45nm處理器詳盡評測-ＩＴ浪潮-北方網

　　Penryn並非全新架構的產物，而是現有Core架構的工藝改進版，大體上區別不大，只是進行了一些技術增強，比如更大容量的二級緩存、更高的主頻、更好的散熱、完整的SSE4指令集、先進的high-k工藝等等。在接口上，LGA775繼續沿用，很多設計周詳的主板基本只需BIOS即可。

　　在晶體管數量上，65nm雙核心Conroe/Merom/Woodcrest擁有2.93億個，45nm雙核心Penryn則提高到4.1億個，其中四核心版本更是翻番到8.2億個。雖然這只是現在Montecito雙核心Itanium 2的大約一半(後者17億個)，但相當於2000年180nm工藝Willamette核心Pentium 4的20倍(後者4200萬個)。

　　Penryn有很多值得關注的地方，其中最重要的莫過於『high-k』工藝。這也是Intel首次在酷叡2處理器上使用。『high-k』工藝是用更高介電常數的金屬柵極取代傳統的低介電常數(low-k)的二氧化硅柵極，從而大大解決漏電問題。據稱，與同頻率的65nm工藝相比，45nm high-k可將晶體管轉換速度(頻率)提高20％，同時轉換能耗減少30％，並將漏電降至1/5。該原理主要是借由以具有優異絕緣性的hafnium鉻元素為新型材料的基礎物質，通過該物質擁有的比傳統二氧化硅柵更為優秀的絕緣性和絕緣層，大幅度降低晶體管在高頻下的漏電率。

　　Penryn時代的功耗仍會維持在35W左右，所以主頻會有不小的提高。Intel沒有給出確切的頻率，但有關工程師指出高端桌面會超過3.3GHz，筆記本則會不低於2.5GHz，而理論上的工作速度會更高。

　　Intel沒有詳細解釋high-k工藝所用的材料，只是表示high-k柵極基於『鉿』元素，金屬柵極的兩種元素則拒絕透露。Intel高級研究員Mark Bohr稱：『可能的組合有上百種，能完成這種組合是一個重大的成就。』Intel還放出豪言，其他半導體企業要達到他們這種水平，得等到32nm工藝時代甚至更晚。