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三星電子宣布已經開始試產業界最小的2Gb DDR3內存芯片,可由此組成大容量的16GB內存條。
三星這種新型DDR3內存采用了50nm工藝,生產率比同密度的DDR2提高了60%,同時功耗比1Gb DDR3節約40%以上,對服務器和下一代臺式機、筆記本應用來說至關重要。
這種內存芯片可工作在1.35V或1.50V電壓下,數據傳輸率最高1.3Gbps,使用它無需堆疊即可組成8GB RIMM、4GB SODIMM/UDIMM內存,采用Dual-DIE封裝則可進一步制造16GB RIMM內存。
據IDC預測,DDR3有望在2009年佔領整個DRAM內存市場的29%,2011年增至72%,同時2Gb DDR3芯片的比例從3%增至33%。