|
||||
Intel宣布,下一代32nm半導體生產工藝的研發階段已經順利完成,將於2009年第四季度如期投產。
Intel計劃在下周舊金山國際電子設備大會(IEDM)上公布32nm工藝的技術細節,另外Intel還會給出相關論文和報告,介紹新工藝使用的第二代高K介質金屬柵極技術、193nm沈浸式光刻技術、增強型晶體管應變技術,它們都將繼續提高Intel處理器的性能和能效。Intel稱,其32nm技術在業界內擁有最高的晶體管性能和最大的晶體管密度。
如果能在明年底投產並發布32nm Westmere處理器,這將是Intel連續四年貫徹Tick-Tock策略,即每隔一年交替昇級生產工藝和微架構。從2007年到2009年,Intel在這種策略的指導下相繼推出了65nm Core、45nm Penryn、45nm Nehalem三個系列的新產品,接下來的Westmere就是Nehalem架構的工藝昇級版,再往後2010年底的Sandy Bridge又是基於32nm工藝的新架構了。
AMD也曾在不久前提出進軍32nm,不過時間要等到2010年上半年,比Intel稍晚一些。
Intel還將在IEDM上介紹45nm工藝的低功耗SoC片上系統、基於化合物半導體的晶體管、改進45nm晶體管性能的襯底工程、45nm和更先進工藝的化學機械拋光集成、集成硅光電子調節器陣列等等課題。此外Intel還會參加一個22nm CMOS技術的短期課程。