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據外電消息,三星已經使用50納米工藝成功開發首款了4Gb內存芯片,這項技術突破的背後,意味著單條32GB DDR3內存將成為可能。
去年9月,三星宣布了2Gb內存芯片,從而完成了單條容量為16GB的內存,但這款產品並沒有大量進入市場。價格因素可能是主要原因。目前采用50納米工藝的4Gb DDR3內存芯片的功耗比前代DDR3產品顯著降低。由於功耗降低,在采用雙芯片封裝技術後三星公司稱它可以實現單條32GB內存。
根據三星的最新技術文檔顯示,新款內存芯片的工作電壓為1.35伏特,最大傳輸速度可達1.6Gbps。即便16GB的50納米內存,功耗也不會超過現有的2GB DDR3內存。
據IDC預測,隨著個人電腦系統中DDR3內存使用量的穩步增加,預計至2011年DDR3內存將佔到DRAM市場份額的72%。不過今年DDR3內存的出貨量僅佔DRAM市場的29%。