奇夢達今天宣布,基於業界最小2Gb DDR3芯片的內存模組已經具備實用性,不過考慮到該公司目前的動蕩,是否能夠發布還很難說。
奇夢達表示,這種芯片基於新的46nm Buried Wordline工藝,核心面積小於55平方毫米,能將高密度DDR3內存模組的功耗降低最多75%。與當前的75nm工藝相比,46nm能將每塊晶圓切割的芯片數量增加兩倍。
奇夢達原計劃在今年年中量產這種新型芯片,但該公司現在正處於破產邊緣,除非能找到新的投資者繼續開發相關技術,否則奇夢達將很快不得不破產清算。