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三星今天宣布,其第一款40nm DRAM內存芯片已經完成並通過認證,並暗示這是邁向下代DDR4內存的關鍵裡程碑。
三星稱,這種40nm 1Gb DDR2內存芯片構成的1GB DDR2-800 SO-DIMM內存條已經通過Intel GM45平臺的認證,相比於當前的50nm產品能減少30%的功耗,同時能將生產效率提高60%,新內存上市的速度也有望加快50%。
最有趣的是,三星指出40nm工藝對『超高性能DRAM技術』的開發來說是『至關重要的一步』,比如DDR4。三星沒有透露更多細節,但DDR4內存很可能要到2012年纔會面世。