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繼三星之後,海力士也宣布完成了40nm工藝1Gb DDR3 DRAM內存芯片的研發。
海力士稱,該芯片符合Intel DDR3技術規范,相關內存模組也即將送交Intel進行認證。此前三星的40nm DDR3內存已經通過了Intel GM45平臺的認證。
海力士稱,新的1Gb DDR3最高速度可達2133MHz,運行電壓范圍很廣,預計今年第三季度投入批量生產,效率可比50nm產品線提高50%以上,而且通過采用三維晶體管架構技術,漏電問題被降到了最低,整體功耗也進一步減少。
海力士還將在今後把40nm工藝引入大容量內存模組、移動型DRAM、圖形DRAM(顯存)等產品。