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三星電子宣布,采用40nm工藝的Flex-OneNAND融合式閃存芯片已經投產,容量也達到了8Gb。
Flex-OneNAND是三星在2007年研發成功的一種新型閃存技術,將單層SLC NAND和多層MLC NAND整合在了一塊硅片上,有利於減少PCB佔用空間、降低傳送噪聲、最大化地提高性能和效率。
三星稱,通過采用40nm新工藝和8Gb大容量,Flex-OneNAND閃存芯片的生產效率可比上一代60nm 4Gb提高最多180%。
40nm Flex-OneNAND當前主要面向智能手機,不過三星認為今年底就會走入全高清電視、網絡電視(IPTV)和其他高端應用領域,而且隨著數據傳輸率的提高,會有越來越多的高端手機集成1GB乃至32GB嵌入式內存。