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在邁入40nm時代後,GPU制造工藝在歷史上第一次超過了CPU,不過由於新工藝研發成本高昂,臺積電和聯電的實力又相對有限,其實40nm工藝其實一直不夠成熟,無法滿足高性能GPU核心的需要,也直接制約了AMD、NVIDIA新款高端顯卡的進度。
今天,聯電宣布已率先開始批量出貨基於高性能40nm工藝的消費集成電路,比首家投產40nm工藝的臺積電領先了一步。
聯電稱,新工藝綜合了三閘級氧化層(TGO)、12個金屬層、Cu/Low-K工藝,相比上代65nm工藝可將芯片集成度提高一倍,同時功耗降低65%,而且生產周期和產品良率都已經達到實用水平,可以用來制造大尺寸的可編程邏輯芯片。
聯電的高性能45/40nm工藝使用了沈浸式光刻技術,還有超淺結、遷移率增強、Ultra Low-K電介質等措施,以求實現最大程度的功耗和性能優化,客戶還可以根據產品需要選擇不同的電壓和晶體管參數。
Xilinx公司上月底宣布,基於聯電40nm工藝的Virtex-6 FPGA已開始批量出貨,最多可節約75%的成本。