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IBM、GlobalFoundries(原AMD)、特許半導體、英飛凌、三星電子、意法半導體等組成的IBM技術聯盟宣布,已經完成28nm、高K金屬柵極(HKMG)、低功耗Bulk CMOS半導體工藝的定義,並進行聯合研發。
28nm低功耗技術評估工具包已經在去年12月提供給初期體驗客戶,並在今年3月向整個市場開放。預計新工藝的初期試驗性投產將於2010年下半年開始。
HKMG是Intel在其45nm工藝中率先引入的新技術,IBM聯盟在先行開發的32nm工藝中也應用了類似的技術,並將在28nm工藝中繼續,而且工藝遷移無需完全重新設計。
IBM表示,初期試驗結果顯示,28nm工藝比45nm能讓芯片核心面積縮小一半,同時帶來40%的性能提昇和超過20%的功耗降低。基於28nm工藝的SRAM單元只有0.120平方微米,是業界迄今為止最小的。
GlobalFoundries制造系統與技術副總裁Tom Sonderman日前在接受媒體采訪時透露,未來將在AMD ATI顯卡上應用32/28nm工藝。
另外ARM與通用平臺聯盟(IBM/特許/三星)在2008年9月底宣布就32/28nm工藝SoC片上系統平臺的開發達成合作協議,第一個成果就是今年2月移動世界大會上宣布的ARM Cortex處理器,該芯片使用的制造工藝正是通用平臺32nm HKMG技術。
臺灣兩大代工巨頭也在積極研發28nm工藝,其中臺積電計劃2010年第一季度上馬,聯電已經在半年前完成業界第一顆28nm SRAM芯片。