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三星公司表示,計劃近期出貨512MB PRAM相變存儲芯片樣品,並於6月份在其200mm晶圓廠實現量產。
PRAM(Phasechange Random Access Memory相變隨機存儲器)是一種被基於厚望的未來存儲技術,其每一個存儲單元在被加熱時呈晶體狀表示1,反之則為非晶體表示0。PRAM可以替代現有的DRAM計算機內存,而由於其非易失性,業內廠商又把它看作是NOR型閃存的替代者。
相比閃存,PRAM在寫入新數據前不需要執行擦除原數據的步驟,因此讀寫速度是普通閃存的30倍,同時其擦寫壽命也是閃存的10倍。
三星最早於2005年展示了PRAM相變存儲樣品,Intel也長期投資這一領域的開發。三星PRAM量產後,預計會首先應用在手機和其他掌上設備中,利用其速度優勢明顯提昇掌上設備性能。