|
||||
三星公司今天宣布,他們已於業內首家開始使用40nm工藝量產2Gb容量DDR3內存顆粒。
三星表示,相比上代50nm工藝,新的40nm工藝可以將生產效率提昇60%。新的40nm 2Gb顆粒可以在1.35V電壓下實現1.6Gbps傳輸率,比上代1Gb顆粒使用雙die封裝制造的2Gb芯片800Mbps的傳輸率提昇了整整一倍。
三星官方稱,新顆粒除了將用於制造16GB、8GB、4GB容量的服務器用RDIMM內存外,還將用於制造臺式機標准的UDIMM和筆記本SODIMM內存條,最大容量為單條4GB。從三星公布的照片來看,由於新工藝顆粒外形小巧,內存條單面即可安放超過16顆(圖中為18顆)DRAM顆粒,排列方式相當特別。