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臺積電公司日前宣布,於業內首家成功使用28nm工藝試制64Mbit SRAM,達成良品率驗證。
更重要的是,臺積電此次分別在28nm高性能High-K金屬柵極(簡稱28HP),28nm低功耗High-K金屬柵極(28HPL)和28nm低功耗氮氧化硅(28LP)三種不同工藝上都實現了相同的良品率。臺積電同時宣布,將28HPL工藝列入公司的28nm技術藍圖。
按臺積電計劃,28HP制程將於明年一季度末開始試產,主打高性能,將應用於CPU、GPU、芯片組、FPGA、網絡、游戲機和移動計算等常規應用。
低功耗28LP將於明年二季度末開始試產,有低成本和可快速上市的優勢,主要用於手機和各種移動應用。
而新增的28HPL工藝則強調在低功耗、低漏電的同時保證中高端性能,可用於手機、上網本、無線通訊、便攜式消費電子設備等,預計於明年第三季度末開始試產。