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IBM公司上周末宣布,已經成功使用32nm SOI工藝打造出了eDRAM嵌入式存儲芯片原型樣品,號稱是『全世界體積最小、存儲密度最大、速度最快的芯片內嵌動態存儲設備』。
IBM表示,相比體硅工藝,32nm SOI工藝能夠提供30%的性能提昇,同時功耗下降40%。而對比各大廠商在芯片緩存中通常使用的SRAM,eDRAM的每個存儲單元只需要一個晶體管,因此體積更小,存儲密度更高,速度和容量都比32nm/22nm SRAM有明顯優勢。
具體來說,新32nm eDRAM存儲密度是2008年8月他們創造『全球最小存儲單元紀錄』的22nm嵌入式SRAM的兩倍,32nm SRAM的四倍。如使用這一技術,處理器的內置緩存容量將得到成倍提昇。
速度方面,32nm SOI eDRAM的延遲和工作循環時間均小於2ns,是目前速度最快的嵌入式存儲設備。而它的待機功耗還是同類SRAM的四分之一,出錯幾率是SRAM的幾千分之一。
IBM表示,將在12月舉行的國際電子設備會議上介紹32nm和22nm的eDRAM技術細節。而該技術未來將被使用在IBM的服務器處理器以及多種應用芯片中,並授權給IBM的多家合作伙伴使用。