|
||||
在推出了業界首個2Gb DDR2內存顆粒後,爾必達近日又宣布了號稱是業界最小的40nm 2Gb DDR3 SDRAM內存顆粒,相比先前的50nm制程工藝,每片晶圓的產量提高了44%,1.6Gbps數據傳輸率下的產量率更是達到了100%。
新40nm 2Gb DDR3內存和50nm產品相比,驅動電流是後者的2/3,支持1.2V、1.35V低壓工作,也同樣支持標准1.5V DDR3工作電壓,功耗降低45%。據爾必達介紹,從50nm向40nm轉換的成本幾乎為零,從65nm向40nm工藝的轉換成本也可控制在理想的范圍之內。
爾必達還在開發65nm XS制程技術,並稱該技術產品可以和50nm工藝產品相提並論。除此之外,爾必達還在研發能夠使用65nm工藝制造出更小的芯片產品的技術。
爾必達將於11月推出基於該顆粒的樣品顆粒,年底實現量產。