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美光公司今天宣布,他們已經開始試產34nm工藝的企業級閃存產品,其壽命比之前的民用級產品有數倍的提昇。
美光NAND閃存從去年年底就開始進入34nm工藝時代,首批34nm MLC閃存寫入壽命只有1500次,只能使用在MP3、存儲卡、U盤等應用中,無法滿足固態硬盤的需要。今年2季度,美光推出了可用於固態硬盤使用的34nm閃存,MLC顆粒寫入壽命達到5000次,SLC顆粒壽命達到10萬次,再加上閃存控制器負載均衡技術的幫助,已經可以用於SSD。隨後在第三季度,每存儲單元可存放3bit數據的3bpc大容量34nm NAND閃存也開始投產。而今,終於來到了最後一步長壽命企業級閃存。美光表示,目前其整個NAND閃存生產線已經幾乎全部邁入34nm工藝。
美光表示,其34nm企業級閃存顆粒MLC版本寫入壽命可達3萬次,SLC版本達到30萬次,分別是之前民用產品的6倍和3倍。與此同時,由於支持ONFI 2.1同步接口,其數據傳輸率也有4到5倍的提昇。其MLC版容量為32Gb,SLC版為16Gb,通過多die封裝技術可以制造出32GB MLC或16GB SLC顆粒。
目前,美光34nm工藝企業級閃存已經開始試產,預計明年年初實現量產。基於美光和Intel在閃存制造上的合作關系,我們可以預期屆時Intel的X25-E企業級固態硬盤也將昇級到34nm。