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三星電子宣布在全球范圍內首家使用30nm新工藝開始了兩種新型NAND閃存芯片的大規模量產,其一是3-bit MLC NAND,其二是異步DDR 32Gb MLC NAND。
相比於目前的2-bit規格,這種30nm 3-bit MLC NAND閃存芯片的數據存儲效率可提昇50%,將大大提昇MLC NAND閃存設備的容量,並有利於降低成本。
三星表示,新閃存初期會結合其自家的3-bit NAND控制器,用來制造8GB MicroSD存儲卡,之後還會用於制造U盤。
30nm DDR MLC NAND閃存支持雙倍數據率傳輸,能大幅提高讀取性能,可用於對讀寫速度和存儲空間都有較高要求的設備,包括智能手機上的高級SD存儲卡、PC上的固態硬盤,以及便攜式媒體播放器(PMP)、MP3播放器、車載導航系統(CNS)等等。
目前單倍數據率SDR MLC NAND的最高讀取速度只有40Mbps,新的DDR MLC NAND則提高了兩倍多,可達133Mbps。基於此,存儲卡的讀取速度可從平均17Mbps提昇到60Mbps。
兩種新型閃存芯片的量產都始於11月底,並已陸續向大型OEM廠商供貨。
另根據市場調研機構Gartner Dataquest的預測,2009年全球NAND閃存市場總價值將有138億美元,2012年更是可達236億美元。