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各大DRAM廠商都在積極邁向新工藝,日本爾必達卻獨闢蹊徑,持續改進65nm工藝,獲得了低成本的1Gb DDR3 DRAM顆粒。
由於DRAM市場從2008年起遭遇大滑坡,爾必達實施了兩手抓的研發策略,一方面按慣例向新工藝遷移,另一方面對現有工藝進行改進昇級,降低投資成本。這樣,在進軍50nm、40nm工藝的同時,爾必達還利用現有的氟化氬(ArF)乾掃描機設備,在2008年研發了65nm S工藝(Shrink),如今又有了65nm XS工藝(eXtra Shrink)。
65nm XS可以說是65nm S的二次改進版,集成度更高,芯片面積更小,在同一塊300毫米晶圓上能多切割出大約25%的芯片,因此效率更高、成本更低,和50nm工藝芯片幾乎相當。
除此之外,65nm XS還縮短了制造工藝的研發過程,通過對現有設備的再利用降低了制造成本。
65nm XS 1Gb DDR3內存顆粒將於2010年第一季度投入量產,面向PC和服務器領域。