隨著32nm工藝的臨近，X86處理器微架構發展進入全新裡程，在即將發布的32nm全新Westmere處理器家族中，我們顯然可以看出，具有時代意義的酷叡i3更深得民心，主打主流級雙核市場，進一步集成高性能3D顯示核心，讓曾經佔整體PC市場7成份額的集成芯片組將會成為歷史，讓登基不久的45nm工藝也成為過去，最主要的是價格更加親民，讓更多用戶能率先體驗到CPU最前沿技術。

　　Core i3除了是全球第一款32nm處理器，它也是全球第一款由CPU+GPU封裝而成的CPU。Intel並沒有把最新的32nm制作工藝率先用到旗艦級的Core i7上，而是直接運用到主流級的Core i3上，目的就是打造全新豪華的酷叡家族銀河戰艦。

　　從數據我們得知，酷叡i3其中CPU部分采用32nm制作工藝，基於改進自Nehalem架構的Westmere架構，采用原生雙核設計，通過超線程技術可支持四個線程同時工作；GPU部分則是采用45nm制作工藝，基於改進自Intel整合顯示核心的GMA架構，支持DX10特效。最先進的制作工藝融合最主流的功能，相信未來主流市場必定又將叱吒一時，下面我們就來解讀一下新酷叡i3身上具備哪些令對手汗顏的必殺武器：

　　Intel並沒有把最新的32nm制作工藝率先用到旗艦級的Core i7上，而是直接運用到主流級的Core i3，成為率先步入32nm的CPU處理器。

　　制造工藝永遠是高性能芯片的參照標准之一，在更高的制造工藝下，在相同的單位面積下可以容納下更多的晶體管，而晶體管數量的增多直接體現在了性能的提昇方面。同時由於單位體積的減小，以及新材料的大量應用。更為先進的工藝制程下制造的芯片產品耗電量以及發電量也會得到很好的控制，這也是為什麼新一代工藝制程的產品會比前一代產品在功耗上有很好表現的原因之一。

　　32nm工藝已經提及多次了，在這裡我們還是簡單的再來回顧一下，采用高k+金屬架構柵極的45nm制程技術取得巨大成功之後，英特爾再接再厲推出了采用第二代高k+金屬柵極的32納米制程技術，目前已接近量產。這種新制程技術將用來制造英特爾Nehalem微體系架構的32nm版本-Westmere。

　　據Intel英特爾高級院士Mark Bohr透露，32nm制程技術的基礎是第二代高k+金屬柵極晶體管。英特爾對第一代高k+金屬柵極晶體管進行了眾多改進。在45納米制程中，高k電介質的等效氧化層厚度為1.0nm。而在32nm制程中，此氧化層的厚度僅為0.9nm，而柵極長度則縮短為30nm。

　　晶體管的柵極間距每兩年縮小0.7倍——32nm制程采用了業內最緊湊的柵極間距。32nm制程采用了與英特爾45納米制程一樣的置換金屬柵極工藝流程，這樣有利於英特爾充分利用現有的成功工藝。這些改進對於縮小集成電路(IC)尺寸、提高晶體管的性能至關重要。采用高k+金屬柵極晶體管的32nm制程技術可以幫助設計人員同時優化電路的尺寸和性能。

　　Intel已經成功完成了32nm制程的研發工作，並且是業界第一家可以演示運行的32nm處理器的廠商，它采用第二代High-K和金屬柵極晶體管技術，九個金屬銅和Low-K互聯層，其中的關鍵層會在Intel歷史上首次應用沈浸式光刻技術，無鉛無鹵素，核心面積可比45nm減小大約70%，在性能方面提高超過22%以上。