|
||||
東芝今天宣布了兩個新系列的固態硬盤產品,在業內率先采用了32nm新工藝(去年第三季度開始量產),相比現在使用的43nm和Intel X25-M的34nm系列更進一步。當然,這裡說的都是NAND閃存制造工藝,和Intel Clarkdale/Arrandale處理器上的不是一回事兒。
首先是第二代『SG2』,采用mini-SATA迷你接口,相比於傳統的1.8寸/2.5寸規格體積更小、成本更低,比如這次推出的128GB型號體積只有2.5寸固態硬盤的七分之一,高度也只有八分之一。性能方面,SG2最大持續讀取速度180MB/s,最大持續寫入速度70MB/s,主要面向上網本。
然後是第三代『HG3』,外形規格和容量均有多種形式:9.5毫米/2.5寸的64/128/256/512GB,7.0毫米/2.5寸的128/256GB,1.8寸或者無外殼LIF模塊的64/128/256GB。性能方面讀寫速度分別可達250MB/s和180MB/s,並支持AES數據加密技術。
特別值得一提的是,SG2、HG3都直接支持Windows 7 TRIM指令,可優化固態硬盤的長期使用性能。
東芝計劃今年第二季度開始試產這兩個新系列固態硬盤,主要提供給OEM廠商,返校季期間就會出現在各種臺式機、筆記本、上網本產品上。