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本月8日,韓國Hynix公司宣布采用20nm制造工藝的64Gbit NAND已經設計完畢,該公司已開始生產基於20nm工藝的閃存芯片。與現在的30nm工藝/32Gbit產品相比,20nm工藝可提高60%生產率,產品密度提昇2倍。
另外海力士還同時宣布,他們已經開發出了一款結合自己30nm級32Gb閃存,以及以色列Anobit公司控制器技術的集成閃存解決方案產品,可顯著提高讀寫速度,並改善存儲設備可靠性。到今年9月,20nm級工藝NAND閃存也將實現與Anobit控制器的集成。
20nm閃存實物