日本網站PCWatch專欄作家後藤弘茂近日撰文，對下一代內存規格DDR4做了一番前瞻性介紹。新內存將給桌面、筆記本、服務器、工作站再次帶來大幅度的性能提昇，但也會顯著改變內存子系統的拓撲結構。

　　在日本東京舉行的MemCon 2010大會上，US Modular公司工程副總裁、JEDEC董事會成員Bill Gervasi介紹說，DDR4內存的有效運行頻率初步設定在2133-4266MHz之間，運行電壓則會進一步降低至1.2V、1.1V，甚至還可能會有1.05V的超低壓節能版，生產工藝預計首批采用36nm或者32nm。

　　目前的DDR3內存最高標准頻率為2133MHz，電壓則有標准版1.5V、節能版1.35V兩種。DDR4將繼續沿著高頻率、低電壓之路前進。

　　內存頻率規格路線圖

　　內存電壓規格路線圖

　　不同時代內存頻率、電壓、功耗關系圖

　　DDR4會嘗試使用硅穿孔(TSV)技術來提昇容量密度