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Intel i7處理器已經上市許久,性能獨步目前處理器市場而未逢敵手。除了擁有先進的核心架構,還和它們內置的雙通道/三通道內存控制器的高效能不無關系。與此同時,內存也在與時俱進,由DDR2昇級到DDR3,出現了又一次革新。從Intel和AMD的平臺發展藍圖看,2010年DDR2內存和DDR3內存將平分秋色,而明年將是DDR3內存大展拳腳的一年。
DDR3內存相比DDR2內存有著更低的工作電壓,從DDR2內存的1.8V降至1.5V,電壓的降低,不僅讓內存擁有更好的電氣特性,而且更為節能。同時,DDR3內存還把預讀取設計位數從4bit提昇至8bit,讓內存運行頻率大幅提昇成為可能。當然,除此之外我們還是要回歸本源,再好的處理器也是需要內存高效穩定的表現。
談到內存產品的高效穩定,絕不能回避的是內存本身的制造工藝、顆粒、PCB等關鍵部件。我們以記憶內存為例,為大家闡述高性能內存產品必備的選擇條件。
記憶內存外觀
記憶內存采用金手指30mil的鍍金工藝,並把這一特征命名為千足金。厚重的鍍金層不僅可以提供穩定的數據傳輸通道,同時還能達到出色的抗氧化的效果,從而進一步提昇內存的穩定性。
記憶內存PCB電路板
目前大多數廠商都采用的是傳統6層PCB電路板設計,其實這樣的設計理論上已經可以滿足內存平穩運行的需要,但記憶內存卻采用8層PCB設計。更多的PCB層數可以有更好的電磁屏蔽性,保證信號電流的『純淨』。另一方面,PCB層數的增多同時也增加了成本,但對於板卡的穩定性和超頻性起著舉足輕重的作用。