近日，隨著臺積電2nm工藝進度的曝光，三星的相關進度也逐漸被媒體曝光。近日有韓媒稱三星計劃於2025年量產基於GAA的2nm芯片，以追趕臺積電的步伐。

　　在近期的一次技術峰會上，臺積電公布了自己的3nm、2nm的相關進度。臺積電表示：3nm工藝將會在今年下半年投產，2nm工藝將會在2025年投產。3nm頭批的產能已經被苹果、高通、聯發科等廠商預定一空，有消息稱，為了保證生產進度臺積電在臺南的生產中心新建了四座工廠，每座工廠的花費大概在100億美元左右，將會全部用來制造3nm芯片。

　　根據臺積電公布的進度圖顯示，臺積電3nm技術將會使用多年，而且隨著時間的推進，臺積電3nm工藝將會出現多個版本：N3、N3E、N3B......等等，根據業界預測，首批量產版本有可能會是N3B版本，將會率先用在苹果的M2 Pro芯片上。然後2023年，臺積電將會投產N3E工藝，用以生產苹果的M2 Max/Ultra芯片。

　　至於2nm工藝，臺積電規劃圖顯示將會在2025年正式量產，臺積電給它的命名叫做“N2”,采用的技術被稱為環繞柵極晶體管(GAAFET) ，臺積電還表示N2不僅有面向移動處理器的標准工藝，還會有針對高性能運算和小芯片（Chiplet）的整合方案。

　　相關機構研究了目前的技術演變進度之後表示：臺積電應該會是第一個量產2nm工藝的代工廠，但是三星也不會落後太多。同時為搶奪更多的市場份額，提昇自己的競爭優勢，不但在進度上僅僅追趕臺積電，三星在新技術下放方面表現的會更加激進，有望將GAAFET技術率先應用在3nm工藝上，早於臺積電的2025年。

　　同時，這也意味著從現在到2025年這三年時間三星將獨享此種技術工藝，這也成為了三星搶佔芯片市場的重要機會。

　　關於2nm制程工藝的優勢，臺積電透露，在相同功耗下，2nm的速度增快10%-15%；在相同速度下，功耗降低25%-30%。（北方網綜合）