最高1600Mbps 南亞下代DDR3內存出樣[圖]

　　在SemiTech 2006大會上，南亞科技全球市場營銷副總裁Pei-lin Pai表示，他們計劃在今年下半年開始向其客戶出樣DDR3內存顆粒。

　　Pei-lin Pai表示，南亞並不期望DDR3內存能夠在2008年前為其貢獻很多收入。今年，DDR3顆粒將采用90nm工藝制造。而在DDR3漸漸普及之後，這種顆粒的生產將過渡到70nm工藝。這可能要等到2008年。

南亞DDR3內存

　　DDR3采用較低的工作電壓（1.5V，而DDR2是1.8V）、8位預取架構（DDR2采用4位預取架構）並內置熱感器。DDR3內存的規格包括：數據傳輸率范圍是800Mbps?1600Mbps（DDR3-800?DDR3-1600），CAS延遲范圍為5?10，提供PASR和ASP節能模式。

　　目前，JEDEC組織正在對DDR3內存的規格問題進行討論，Pei-lin Pai認為標准的最終確定要等到明年年底或2008年上半年。

　　在SemiTech大會上，南亞展示了其240pin 1GB DDR3內存，它采用512Mbit DDR3-1066顆粒，提供了最大8.5GB/s(PC3-8500)的帶寬。