數碼時代——新一代閃存技術剖析[圖]

以立體空間換取大容量－制造技術不斷改善

　　在電路邏輯類型確定之後，閃存的存儲密度指標也就固定了，不過，閃存所能達到的最高容量還與隨後進行的芯片制造與封裝技術有莫大的關系。為了實現盡可能高的容量，各個閃存芯片的生產廠商積極開發新的制造和封裝技術。在制造方面，線寬更短的先進工藝為大勢所趨，立體結構的3D芯片也是大幅度提高容量的法寶。而在封裝方面，雙面封裝乃至芯片堆疊封裝技術將成為今後的主流。

　　在邏輯結構不變的條件下，采用先進的制造工藝也可以達到降低成本，提高芯片容量的目的。該種思路的典型代表就是Intel公司，盡管在閃存技術的開發上落後於Spansion，但在制造工藝上Intel則領先了一代。目前Intel已經全面采用90納米工藝來制造NOR型閃存，先進工藝可使芯片的面積大幅度減少，制造成本也由此得到明顯降低，提高價格競爭力便成為可能。相比之下，Spansion也是在年底纔實現0.11微米工藝，而絕大多數閃存芯片制造企業仍然以0.13微米為絕對主流。

　　除Intel外，三星公司在工藝技術方面也表現出強烈的進取精神，在上個月，它們甚至對外界驕傲地宣稱『首次成功地使下一代60納米技術邁向了商業化』，並展出采用該工藝制造的NAND閃存產品，它的容量達到驚人的8GB。我們可以在一枚這樣的NAND芯片上存儲高達16小時的壓縮視頻或4000個MP3音頻文件，結合多芯片封裝技術的話，三星將具備16GB閃存芯片的制造能力?前提是市場存在這樣的需求。按照計劃，60納米工藝將於2005年一季度開始投產，同時三星也打算推出4GB的『小容量』版本滿足主流市場的需求，絕對領先的制造工藝讓三星公司牢牢把持NAND型閃存領域的技術優勢。