數碼時代——新一代閃存技術剖析[圖]

以立體空間換取大容量－雙面封裝與堆疊封裝

　　倘若單枚芯片無法提供足夠的容量，廠商還可以通過雙面封裝或堆疊封裝技術來制造出更大的閃存卡。如在一個封裝中整合雙枚芯片，容量自然提高了一倍。這種做法目前頗為流行，市面上的大容量閃存卡產品有相當的比例屬於該體系。

　　Kingmax公司研發的PIP封裝技術是雙面封裝的代表，PIP將半導體芯片封裝與PCB基板組裝流程結合起來。傳統的存儲卡一般為四層結構，從上到下分別為頂蓋、寫保護開關、PCB電路板和底蓋，閃存芯片就直接焊接在PCB電路板的正面。PIP封裝對此作了改良，它在PCB電路板的正反面都集成了未封裝的閃存顆粒，然後對其作整體式封裝，這樣閃存卡中的閃存芯片數量就提高一倍，容量當然隨之躍昇。目前，采用這種技術的只有Kingmax一家企業，雖然他們同樣需要向上游企業購買閃存芯片，但封裝工序卻由Kingmax獨自完成。而其他閃存卡廠商都是直接購買封裝好的芯片，再將它們集成於電路板之上。如果在電路板的雙面都集成芯片，閃存卡就很難保持限定的小體積。

　　芯片堆疊封裝與PIP封裝有異曲同工之妙，但實現方式二者完全不同。所謂堆疊是指將從晶圓中切割出來的閃存顆粒疊放在一起，然後作整體封裝。從外表來看，它只是一枚普通的單芯片，但其內部卻擁有兩顆甚至更多的閃存顆粒，實現大容量自然沒什麼問題。芯片堆疊封裝有點3D存儲的意味，但我們要明確其堆疊的對象是切割完畢的閃存顆粒，而前面介紹的Reveo 3D存儲技術則是將邏輯電路進行堆疊，當它從晶圓上切割出來之後即已擁有超大容量，並不需要再次進行堆疊封裝。

　　堆疊封裝的代表廠商是日本東芝公司，在去年4月份它們就向外界推出8GB容量的NAND型閃存，其存儲核心其實是由兩枚4GB容量的閃存芯片構成。東芝公司還計劃制造4枚芯片堆疊封裝的閃存產品，可獲得16GB的超大容量。換句話說，我們完全不必再擔懮閃存容量瓶頸的問題，現在來看是太富餘了，廠商應該將重點放在盡快降低主流容量產品的制造成本上面。