三星宣布50nm 16Gb NAND閃存已經出爐[圖]

　　韓國三星電子宣布拿出采用50nm工藝的16Gb NAND閃存芯片樣品。這種16Gb NAND閃存芯片樣品采用多層Cell(MLC)設計，具有4KBpage尺寸。三星電子宣稱，4KBpage尺寸NAND閃存芯片的讀取速度，將比傳統2KB page尺寸的閃存芯片快上1倍，同時寫入速度也將提昇150%。

　　韓國三星電子准備在今年第一季度大規模量產16Gb NAND閃存芯片。三星電子的50nm工藝的16Gb NAND閃存芯片，將內建CTF架構，在提昇產率同時改進閃存芯片性能。三星電子表示，50nm工藝的16Gb NAND閃存芯片大批量生產，將加速閃存固態硬盤的研發和普及。

　　在去年3月份，三星電子研發出32GB的NAND閃存固態硬盤。三星電子表示，2010年市場對閃存固態硬盤市場價值將達45億美金。