Intel NAND閃存采用35nm制程 後勁十足

    根據日經產業新聞指出，英特爾進入NAND型閃存領域較晚，且近1年來NAND型閃存價格下跌的壓力相當大，因此英特爾將以最先進的微小化技術，藉此降低生產成本，目前的NAND型閃存制程為72nm制程，50nm制程將在2007年下半量產，而英特爾也將領先同業，於2008年在新加坡新廠中，導入35nm制程技術。

    日經產業新聞進一步指出，以35nm制程技術來量產NAND型閃存是絕對可行的，NAND型閃存可透過每個Cell儲存較多Bit來增加每個芯片的儲存量，35nm制程應可達到每個Cell記憶4個Bit，此外，英特爾也積極開發下一代的相變化內存（PCM）技術。

    英特爾在Santa Rosa平臺中的Robson技術，將在原有的傳統硬盤中，加設NAND型閃存模塊，筆記型計算機（NB）在開機時，不需將數據寫入傳統硬盤，而是將數據記憶在NAND型閃存當中，將可大幅加快開機速度，而由於硬盤的使用次數減少，將為延長壽命且減少耗電量。

    類似Robson技術這種結合傳統硬盤和NAND型閃存功能的混合型技術，未來將逐漸成為趨勢，業界一般稱為硬盤的「延壽計劃」；此外，像是純粹使用固態硬盤（SSD），完全取代傳統硬盤，也會是NAND型閃存進入PC市場的終極目標之一。

    業界人士表示，英特爾雖然晚進入NAND型閃存市場，但其爆發力絕不忽視，或許在2006、2007年還處於打底階段，2008年之後將逐漸顯現出來，且英特爾以最先進的35nm制程生產NAND型閃存，將可大幅提昇其成本競爭力，加上屆時NAND型閃存應用在PC領域逐漸成熟，其影響力絕對不容忽視。