究竟威力有多大：DDR3內存性能全面評測[圖]

　　5、新增功能——重置（Reset）

　　重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門准備了一個引腳。DRAM業界已經很早以前就要求增這一功能，如今終於在DDR3身上實現。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有的操作，並切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所以有數據接收與發送器都將關閉。所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鍾電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。

DDR/DDR2/DDR3三代同堂

　　6、新增功能——ZQ校准

　　ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令之後，將用相應的時鍾周期（在加電與初始化之後用512個時鍾周期，在退出自刷新操作後用256時鍾周期、在其他情況下用64個時鍾周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校准。

　　7、參考電壓分成兩個

　　對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF，在DDR3系統中將分為兩個信號。一個是為命令與地址信號服務的VREFCA，另一個是為數據總線服務的VREFDQ，它將有效的提高系統數據總線的信噪等級。

　　8、根據溫度自動自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）

為了保證所保存的數據不丟失，DRAM必須定時進行刷新，DDR3也不例外。不過，為了最大的節省電力，DDR3采用了一種新型的自動自刷新設計（ASR，Automatic Self-Refresh）。當開始ASR之後，將通過一個內置於DRAM芯片的溫度傳感器來控制刷新的頻率，因為刷新頻率高的話，消電就大，溫度也隨之昇高。而溫度傳感器則在保證數據不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計，並不見得市場上的DDR3內存都支持這一功能，因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT，Self-Refresh Temperature）。通過模式寄存器，可以選擇兩個溫度范圍，一個是普通的的溫度范圍（例如0℃至85℃），另一個是擴展溫度范圍，比如最高到95℃。對於DRAM內部設定的這兩種溫度范圍，DRAM將以恆定的頻率和電流進行刷新操作。

　　9、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）

　　這是DDR3的一個可選項，通過這一功能，DDR3內存芯片可以只刷新部分邏輯Bank，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產生的電力消耗。這一點與移動型內存（Mobile DRAM）的設計很相似。

　　10、點對點連接（P2P，Point-to-Point）

　　這是為了提高系統性能而進行了重要改動，也是與DDR2系統的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器將只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能一個插槽。因此內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P，Point-to-Point）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（P22P，Point-to-two-Point）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數據總線的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標准DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規格更高的AMB2（高級內存緩衝器）。不過目前有關DDR3內存模組的標准制定工作剛開始，引腳設計還沒有最終確定。