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臺積電研發副總裁Jack Sun在日本舉行的一次研討會上宣布,28nm低功耗生產技術已經研發成功,將在2010年初作為全代(full node)工藝為客戶提供代工服務,並可選高性能和低功耗兩種應用類別。
臺積電表示,借助雙/三柵極氧化物技術,32nm工藝階段的硅氧氮化物(SiON)/多晶硅(poly Si)材料得以在28nm工藝上繼續使用。
28nm 64Mb SRAM晶圓也已經獲得足夠好的良品率,每個單元的面積只有0.127平方微米,原始柵極密度已達每平方毫米390萬個。
臺積電稱,與45nm工藝相比,28nm工藝中使用的低待機、低運行功耗氮硅氧化物能帶來最多25-40%的速度提昇,同時功耗降低30-50%。
除了Intel打算直接進軍22nm之外,業界諸多半導體巨頭都在28nm工藝上投入了大量精力,既有這裡提到的臺積電,也有IBM、GlobalFoundries、特許半導體、英飛凌、三星電子、意法半導體組成的技術聯盟,還有東芝和NEC。